Гайд по выбору оперативной памяти DDR4 в 2022 году
На что обращать внимания и как сделать правильный выбор
DDR4 пришла на домашние компьютеры 7 лет назад и с тех пор получила несколько крупных фейслифтов — все три крупных производителя модулей памяти: Samsung, Hynix и Micron до самого конца обновляли дизайн модулей памяти. На сегодняшний день рынок завален модулями памяти DDR4 всех цветов и характеристик, отчего сделать правильный выбор совсем непросто. В этом материале мы поможем разобраться в чем основные отличия между разными DDR4, на что обращать внимание при покупке и какой производительности ждать.
Dual Rank или Single Rank
Термин Rank относится к количеству групп чипов памяти на плате. Single Rank имеет одну группу чипов, Dual Rank — две группы. Хотя контроллер памяти CPU может одновременно общаться только с одной группой чипов, преимущество Dual Rank лежит в возможности обновлять банки памяти на неиспользуемом чипе. На “игровой” и мейнстримовой десктопной памяти с рангами все просто — Single Rank модули содержат чипы только на одной стороне платы, Dual Rank модули содержат чипы на обеих сторонах платы. Практически все 8 Гб модули памяти будут Single Rank, а 16 Гб и 32 Гб будут Dual Rank.
Основное преимущество Dual Rank памяти — увеличенный объем на одну планку. Так как современные процессоры имеют всего два канала памяти, а дизайн большинства материнских плат рассчитан на использование двух планок памяти одновременно, 2 планки Dual Rank памяти будут работать стабильнее и быстрее, нежели 4 планки Single Rank памяти.
На одинаковой частоте и таймингах Dual Rank в среднем на 5-7% быстрее Single Rank памяти в играх, однако Single Rank память позволяет сильнее ее разогнать, получив преимущество в производительности. Грубо говоря, память примерно одного качества, работающая на одинаковой частоте в случае Dual Rank будет иметь более высокую пропускную способность, но худшие тайминги и задержки, нежели Single Rank память.
Плюсы Dual Rank памяти (комплекты 32Гб из 2 планок):
- Больший объем памяти
- Выше пропускная способность
- На 5-7% выше игровая производительность при идентичных характеристиках
- Запас на будущее по объему
Минусы Dual Rank памяти:
- Выше цена
- Разгонный потенциал ниже
Плюсы Single Rank памяти (комплекты 16Гб из 2 планок):
- Широкий выбор моделей с разными характеристиками
- Ниже цена
- Ниже задержки памяти
- Разгонный потенциал выше
Минусы Single Rank памяти:
- 16 Гб может быть недостаточно для домашней системы в ближайшем будущем
- Апгрейд до 32 Гб из 4 модулей нанесет удар по производительности
- Ниже игровая производительность при одинаковых настройках
В 2022 году я рекомендую думать о покупке только Dual Rank памяти комплектом 32 Гб из двух планок по следующим причинам:
- Windows, браузеры, дискорды, торренты и прочие бэкграунд-программы потребляют все больше и больше оперативной памяти. Если на сегодняшний день 16 Гб еще достаточно для комфортной жизни, тенденция показывает, что через 1-2 года 16 Гб будет мало.
- Использование четырех модулей памяти серьезно ограничивает разгонный потенциал ввиду особенностей дизайна материнских плат. Велики шансы, что докупив пару модулей памяти вы серьезно потеряете в производительности.
- На рынке представлено много доступных комплектов Dual Rank памяти с оптимальными рабочими характеристиками за адекватную цену.
- Современные процессоры оптимальнее всего работают с оперативной памятью с частотой 3600-4200 МТ/с, а значит гнаться за высокочастотной и сверхбыстрой оперативной памятью смысла мало.
Какого производителя выбрать?
Следует понимать, что производством самих чипов памяти занимаются три компании: Hynix, Samsung и Micron, а модули оперативной памяти делать может кто захочет. Некоторые производители покупают готовую оперативную память у производителей чипов и просто устанавливают свои радиаторы, а некоторые сами занимаются дизайном и производством платы, на которую устанавливаются модули памяти. И малоизвестная компания, и крупная компания могут использовать абсолютно идентичные модули памяти с идентичной производительностью.
Что гарантирует имя бренда? Во-первых, использование более быстрых и качественных чипов памяти. Покупая комплект от G.Skill, Kingston, Thermaltake, Corsair или Crucial за 10000 рублей можно быть уверенным, что любой комплект из их модельного ряда будет соответствовать своей стоимости. Известные бренды со сформировавшейся репутацией закупают более качественные модули памяти и производят более дорогие, но и более быстрые комплекты оперативной памяти. Когда с менее известными производителями стоит быть начеку: смотреть на подробные характеристики и гуглить название модели — высока вероятность, что конкуренцию они составляют за счет использования более дешевых и менее производительных модулей памяти.
На что обращать внимание?
Старая подсказка с делением частоты памяти на CAS Latency в 2022 году не работает — современные игры, как мы выяснили, очень любят высокую пропускную способность памяти, а значит ориентироваться стоит на покупку памяти с частотой 3600 МГц и выше. Перед шоппингом, однако, уточните, какую память поддерживает ваш процессор и материнская плата. Процессоры AMD Ryzen поколений 3000 и 5000, а также процессоры Intel с приставкой K на Z-чипсете 9, 10, 11 и 12-го поколений без проблем справятся с памятью с частотой 3600 МТ/с в оптимальном режиме работы, а более старые процессоры AMD Ryzen 1000 и 2000, а также процессоры Intel без буквы К в названии ограничены более низкой частотой.
Чтобы понять, поддерживает ли ваша система высокоскоростную память, следует проконсультироваться с QVL-листом совместимости памяти с вашей моделью материнской платы.
Оперативная память с частотой выше 4000 МТ/с далеко не всегда будет быстрее памяти с частотой 3600 МТ/с — контроллер памяти CPU играет немаловажную роль. Так называемая “сладкая середина”, когда контроллер памяти работает 1:1 с частотой памяти находится на отметке 3600-3866 МТ/с для процессоров Ryzen 3000 и 5000, 3600-4000 МТ/с для процессоров Intel Core 10-го поколения, 3600-3733 МТ/с для процессоров Intel Core 11-го поколения, 3600-4200 МТ/с для процессоров Intel Core 12-го поколения. Далеко не каждый процессор будет работать на максимальной частоте — тут работает силиконовая лотерея: у соседа процессор может брать частоту 4000 МТ/с, а у вас только 3000 МТ/с, посему для жизни без хлопот стоит выбирать оперативную памяти с частотой 3600 МТ/с.
Второй момент — вышеупомянутая CAS Latency, именно этот показатель поможет определить с чем мы имеем дело. Но перед этим стоит поговорить о различиях между чипами памяти.
Что лучше? Hynix, Samsung или Micron
У каждого производителя присутствует множество ревизий чипов разных поколений, разного качества и сделанные на разных производственных линиях. Так как мы выбираем память для игр в первую очередь, обращать внимание будем только на скоростные современные модули.
Samsung B-Die
Модули оперативной памяти DDR4 от Samsung прославили чипы B-Die — отборные, скоростные и дорогие. Хотя конкуренты и смогли сократить разрыв в производительности, в 2022 году лидером все равно остаются Samsung. Главной отличительной особенностью B-Die являются низкие задержки работы памяти. На частотах ниже 4400 первичные тайминги будут одинаковыми или с небольшим разрывом, скажем 17-17-17 или 14-15-15, а на частотах выше 4400 разрыв начинает увеличиваться, например 18-22-22.
Проще всего память Samsung B-Die найти в модельном ряде G.Skill, на сайте которых расположен очень удобный интерфейс выбора оперативной памяти. Память на B-Die объективно лучшая, но при этом и дорогая — этот вариант лучше всего подойдет для высокопроизводительных систем.
Micron Rev. E
Модули ревизии E от Micron в свое время сильно изменили рынок, предложив очень доступную и сравнительно неплохую память с высоким разгонным потенциалом, однако к 2022 году конкуренты позиции сократили и стали предлагать более быструю память по сравнительным ценам. Так как ориентируемся мы на память с частотой 3600 МТ/с, отличительным знаком Micron Rev. E служат тайминги 18-22-22 для комплектов объемом 32 Гб и 18-20-20 и 18-22-22 для комплектов объемом 16 Гб. Модули на основе Micron Rev. E являются самым бюджетным вариантом, предлагая худшую производительность, но и самую низкую цену.
Однако на процессорах Intel Micron Rev. E предлагает очень приятный разгонный потенциал — для оверклокера на бюджете варианта лучше не найти.
Hynix CJR
Hynix CJR долгое время был самый бюджетным вариантом, однако к 2022 году качество модулей выросло заметно. Главной силой CJR является соотношение цены к производительности в комплектах объемом 32 Гб. Отличительной особенностью являются тайминги 16-19-19, 16-20-20 или 17-21-21. Такой комплект показывает отличные характеристики работы “из коробки” на XMP профиле и немного разгоняется до 3866-4000 МТ/с.
Hynix DJR
Текущий рекордсмен по максимальной частоте DDR4 памяти — до 5333 МТ/с “из коробки” в XMP профиле. Лучше всего такой комплект подойдет именно под разгон — модули DJR отлично переносят высокое напряжение и высокие температуры. Отличительной особенностью является большая разница между CL и остальными первичными таймингам, как 17-21-21 или 19-23-23 или 19-26-26.
Проще всего найти DJR по высокой исходной частоте и вышеупомянутых таймингах. Thermaltake Toughram на частотах от 4000 МТ/с использует эксклюзивно эти модули, много вариантов предлагают Kingston и G.Skill.
А теперь перейдем к рекомендациям:
Лучшие бюджетные варианты:
Для комплектов объемом 32 Гб:
Оптимальный XMP — Hynix CJR, как G.Skill Trident Z Neo 3600 CL16-19-19 за
Самый дешевый вариант — Micron Rev. E, как Team Group T-Force Vulkan Z CL18-22-22 за
Для комплектов объемом 16 Гб:
Оптимальный XMP — Hynix DJR, как Kingston FURY Beast Black 3600 CL17-21-21
Самый дешевый вариант — Micron Rev. E, как Corsair Vengeance LPX CL18-22-22 за
Вариант для разгона — быстрый Hynix DJR, как Thermaltake Toughram 4000+ за
Лучшие из лучших:
Для комплектов объемом 32 Гб:
Оптимальный XMP — Samsung B-Die, как G.SKILL Trident Z Royal Elite 3600 CL14 за
Бюджетный вариант — Samsung B-Die, как G.SKILL Trident Z Royal 3600 CL16-16-16 за
Лучший под разгон — Samsung B-Die, как G.SKILL Trident Z Royal Elite 3600 CL14 за
Для комплектов объемом 16 Гб:
Оптимальный XMP — Samsung B-Die, как G.SKILL Trident Z Neo 3600 CL14 за
Бюджетный вариант — Samsung B-Die, как G.Skill Ripjaws V 3600 CL16-16-16 за
Лучший под разгон — Samsung B-Die, как G.SKILL Trident Z Neo 3800 CL14 за
Разгон для высоких частот — Hynix DJR, как G.Skill Trident Z Royal Elite CL20-30-30 за
Ну а если интересно узнать реальную разницу в производительности между различными комплектами оперативной памяти DDR4, в этом вам поможет наш материал по тестированию процессора Intel Core i5-12600K в связке с модулями памяти разных производителей.
Микрон круче Самсунга на 1060 или для Самсунга другие настройки ?
Сегодня купил 1060 Palit Jetstream на самсунге, 2 такие же на микроне покупал ранее 
последняя самсунг, в автобёрнере у всех 3 карт так стоит.
это дагерхашимото-феникс самый прибыльный для них сейчас
И пачиму хвалённый самсунг даёть меньше ?
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB vs Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Почему Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB лучше чем Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB?
- 5680GB больше встроенной памяти
Почему Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB лучше чем Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB?
- 2960MB/s быстрее скорость последовательного считывания
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Intel DC P4510 Series 8TB
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Adata XPG SX8200 Pro 2TB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Samsung 860 Evo 250GB 2.5"
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Crucial MX500 M.2 2280 1TB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Samsung 860 Evo 4TB 2.5"
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Western Digital Black PCIe 1TB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Samsung PM841 128GB
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Samsung 980 Pro 2TB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Samsung PM841 512GB
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Kingston KC3000 2048GB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Western Digital Blue SSD 1TB
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Silicon Power P34A80 2TB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Western Digital Blue SSD 500GB
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Kingston A400 480GB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Samsung 840 Pro Series 512GB
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Crucial MX500 2.5" 1TB
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Kingston A1000 960GB
Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB
Crucial MX500 2.5" 500GB
Samsung 970 Evo NVMe M.2 2280 2TB
Kingston Fury Renegade 500GB
Silicon Power US70 2TB
Western Digital WD Black SN850X 2TB
Sabrent Rocket 4 Plus G 1TB
Samsung 990 Pro 2TB
Sabrent Rocket 4 Plus G 2TB
Adata Legend 960 2TB
Team Group T-Force Cardea A440 Pro 2TB
MSI Spatium M570 2TB
Samsung 990 Pro 1TB
Western Digital WD Black SN850X 1TB
Отзывы пользователей
Отзывов пока нет
Будьте первым. Поделитесь своим опытом, чтобы помочь другим членам сообщества принять решение.
Скорость считывания
Скорость записи
Геометки
Неизвестно. Помогите нам, предложите стоимость. (Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB)
Неизвестно. Помогите нам, предложите стоимость. (Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB)
Неизвестно. Помогите нам, предложите стоимость. (Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB)
Неизвестно. Помогите нам, предложите стоимость. (Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB)
Неизвестно. Помогите нам, предложите стоимость. (Micron 5200 Eco 2.5" 7.68TB)
Вскрытие самой передовой памяти Micron подтвердило, что равных ей нет — Samsung пока что отстаёт
В мае высокопоставленный представитель Samsung подтвердил, что вся выпускаемая компанией оперативная память класса 10 нм находится в «дальней» части 10-нм шкалы (ближе к 20 нм). Заявление было сделано на фоне опасения инвесторов о превосходстве DRAM-техпроцессов компании Micron. Поэтому Samsung пообещала начать выпуск «настоящей» 14-нм DRAM этой осенью, в чем должна догнать и даже перегнать американского конкурента. Но пока что подтвердилось, что Micron впереди.
Известная своими «вскрытиями» полупроводников компания TechInsights изучила новейший кристалл Z41C DRAM Micron, выпускаемый тайваньским производством компании. Эта память производится с использованием техпроцесса 1α (альфа) класса 10 нм. В Micron не раскрывают минимальные размеры элементов на кристалле, как и в Samsung, и в других компаниях. Согласно подсчётам TechInsights, битовая плотность чипа Z41C составляет 0,315 Гбит/мм 2 . Из этого сделан расчёт, который дал размер «half pitch» — половину шага между соседними токопроводящими дорожками, по которым сегодня определяют техпроцесс — равным 14,3 нм.
У компании Samsung самый передовой техпроцесс производства DRAM — это 1z nm. Этот техпроцесс позволяет выпускать память с плотностью 0,299 Гбит/мм 2 , что явно меньше, чем у Micron. Следовательно, минимальное расстояние между контактами на кристалле Samsung больше, чем у Micron. Собственно, Samsung это публично озвучила. Интересно то, что Micron на всех стадиях производства использует 193-нм сканеры, тогда как Samsung часть критически важных операций проводит с использованием 13,5-нм сканеров диапазона EUV.
Начать производство 14-нм DRAM компания Samsung обещает во второй половине этого года. Фактически она обойдёт Micron по технологическим нормам производства, но опережение на 0,3 нм выглядит очень и очень несерьёзно.